Тайминги оперативной памяти какие лучше ddr2. Современные типы памяти DDR, DDR2, DDR3 для настольных компьютеров. Объем памяти для старых ПК

27.09.2020

Основные характеристики оперативной памяти (ее объем, частота, принадлежность к одному из поколений) могут быть дополнены еще одним важнейшим параметром - таймингами. Что они представляют собой? Можно ли их изменять в настройках BIOS? Как это делать наиболее корректным, с точки зрения стабильной работы компьютера, образом?

Что такое тайминги ОЗУ?

Тайминг оперативной памяти - это временной интервал, за который команда, отправляемая контроллером ОЗУ, выполняется. Измеряется эта единица в количестве тактов, которые пропускаются вычислительной шиной, пока идет обработка сигнала. Сущность работы таймингов проще понять, если разобраться в устройстве микросхем ОЗУ.

Оперативная память компьютера состоит из большого количества взаимодействующих ячеек. Каждая имеет свой условный адрес, по которому к ней обращается контроллер ОЗУ. Координаты ячеек, как правило, прописываются посредством двух параметров. Условно их можно представить как номера строк и столбцов (как в таблице). В свою очередь, группы адресов объединяются, чтобы контроллеру было "удобнее" находить конкретную ячейку в более крупную область данных (иногда ее называют "банком").

Таким образом, запрос к ресурсам памяти осуществляется в две стадии. Сначала контроллер отправляет запрос к "банку". Затем он запрашивает номер "строки" ячейки (посылая сигнал типа RAS) и ждет ответа. Длительность ожидания - это и есть тайминг оперативной памяти. Его общепринятое наименование - RAS to CAS Delay. Но это еще не все.

Контроллеру, чтобы обратиться к конкретной ячейке, нужен также и номер приписанного к ней "столбца": посылается другой сигнал, типа CAS. Время, пока контроллер ждет ответа, - это тоже тайминг оперативной памяти. Он называется CAS Latency. И это еще не все. Некоторые IT-специалисты предпочитают интерпретировать такое явление, как CAS Latency, несколько иначе. Они полагают, что этот параметр указывает, сколько должно пройти единичных тактов в процессе обработки сигналов не от контроллера, а от процессора. Но, как отмечают эксперты, речь в обоих случаях, в принципе, идет об одном и том же.

Контроллер, как правило, работает с одной и той же "строкой", на которой расположена ячейка, не один раз. Однако, прежде чем обратиться к ней повторно, он должен закрыть предыдущую сессию запроса. И только после этого возобновлять работу. Временной интервал между завершением и новым вызовом строки - это тоже тайминг. Называется он RAS Precharge. Уже третий по счету. На этом все? Нет.

Поработав со строкой, контроллер должен, как мы помним, закрыть предыдущую сессию запроса. Временной интервал между активацией доступа к строке и его закрытием - это тоже тайминг оперативной памяти. Его наименование - Active to Precharge Delay. В принципе, теперь все.

Мы насчитали, таким образом, 4 тайминга. Соответственно, записываются они всегда в виде четырех цифр, например, 2-3-3-6. Кроме них, к слову, есть еще один распространенный параметр, которым характеризуется оперативная память компьютера. Речь идет о значении Command Rate. Оно показывает, какое минимальное время тратит контроллер на то, чтобы переключиться от одной команды к другой. То есть, если для CAS Latency значение - 2, то временная задержка между запросом от процессора (контролера) и ответом модуля памяти составит 4 такта.

Тайминги: порядок расположения

Каков порядок расположения в этом числовом ряду каждого из таймингов? Он практически всегда (и это своего рода отраслевой "стандарт") таков: первая цифра - это CAS Latency, вторая - RAS to CAS Delay, третья - RAS Precharge и четвертая - Active to Precharge Delay. Как мы уже сказали выше, иногда используется параметр Command Rate, его значение пятое в ряду. Но если для четырех предыдущих показателей разброс цифр может быть достаточно большим, то для CR возможно, как правило, только два значения - T1 или T2. Первый означает, что время с момента, когда память активируется, до наступления ее готовности отвечать на запросы должен пройти 1 такт. Согласно второму - 2.

О чем говорят тайминги?

Как известно, объем ОЗУ - один из ключевых показателей производительности этого модуля. Чем он больше - тем лучше. Другой важный параметр - это частота оперативной памяти. Здесь тоже все однозначно. Чем она выше, тем ОЗУ будет работать быстрее. А что с таймингами?

В отношении них закономерность иная. Чем меньше значения каждого из четырех таймингов - тем лучше, тем производительнее память. И тем быстрее, соответственно, работает компьютер. Если у двух модулей с одинаковой частотой разные тайминги оперативной памяти, то и их производительность будет отличаться. Как мы уже определили выше, нужные нам величины выражаются в тактах. Чем их меньше, тем, соответственно, быстрее процессор получает ответ от модуля ОЗУ. И тем скорее он может "воспользоваться" такими ресурсами, как частота оперативной памяти и ее объем.

"Заводские" тайминги или свои?

Большинство пользователей ПК предпочитает использовать те тайминги, которые установлены еще на конвейере (либо в опциях материнской платы выставлена автонастройка). Однако на многих современных компьютерах есть возможности для того, чтобы выставить нужные параметры вручную. То есть, если нужны более низкие значения - их, как правило, можно проставить. Но как изменить тайминги оперативной памяти? Причем сделать это так, чтобы система работала стабильно? А еще, быть может, есть случаи, при которых лучше выбрать увеличенные значения? Как выставить тайминги оперативной памяти оптимальным образом? Сейчас мы попробуем дать ответы на эти вопросы.

Настраиваем тайминги

Заводские значения таймингов прописываются в специально отведенной области микросхемы ОЗУ. Называется она SPD. Используя данные из нее, система BIOS адаптирует оперативную память к конфигурации материнской платы. Во многих современных версиях BIOS настройки таймингов, выставленные по умолчанию, можно корректировать. Практически всегда это осуществляется программным методом - через интерфейс системы. Изменение значений как минимум одного тайминга доступно в большинстве моделей материнских плат. Есть, в свою очередь, производители, которые допускают тонкую настройку модулей ОЗУ при задействовании гораздо большего количества параметров, чем четыре указанных выше типа.

Чтобы войти в область нужных настроек в BIOS, нужно, зайдя в эту систему (клавиша DEL сразу после включения компьютера), выбрать пункт меню Advanced Chipset Settings. Далее в числе настроек находим строку DRAM Timing Selectable (может звучать несколько по-другому, но похоже). В нем отмечаем, что значения таймингов (SPD) будут выставляться вручную (Manual).

Как узнать тайминг оперативной памяти, установленный в BIOS по умолчанию? Для этого мы находим в соседствующих настройках параметры, созвучные CAS Latency, RAS to CAS, RAS Precharge и Active To Precharge Delay. Конкретные значения таймингов, как правило, зависят от типа модулей памяти, установленных на ПК.

Выбирая соответствующие опции, можно задавать значения таймингов. Эксперты рекомендуют понижать цифры очень постепенно. Следует, выбрав желаемые показатели, перезагружаться и тестировать систему на предмет устойчивости. Если компьютер работает со сбоями, нужно вернуться в BIOS и выставить значения на несколько уровней выше.

Оптимизация таймингов

Итак, тайминги оперативной памяти - какие лучше значения для них выставлять? Почти всегда оптимальные цифры определяются в ходе практических экспериментов. Работа ПК связана не только с качеством функционирования модулей ОЗУ, и далеко не только скоростью обмена данными между ними и процессором. Важны многие другие характеристики ПК (вплоть до таких нюансов, как система охлаждения компьютера). Поэтому практическая результативность изменения таймингов зависит от конкретной программно-аппаратной среды, в которой пользователь производит настройку модулей ОЗУ.

Общую закономерность мы уже назвали: чем ниже значения таймингов, тем выше скорость работы ПК. Но это, конечно, идеальный сценарий. В свою очередь, тайминги с пониженными значениями могут пригодиться при "разгоне" модулей материнской платы - искусственном завышении ее частоты.

Дело в том, что если придать микросхемам ОЗУ ускорение в ручном режиме, задействовав слишком большие коэффициенты, то компьютер может начать работать нестабильно. Вполне возможен сценарий, при котором настройки таймингов будут выставлены настолько некорректно, что ПК и вовсе не сможет загрузиться. Тогда, скорее всего, придется "обнулять" настройки BIOS аппаратным методом (с высокой вероятностью обращения в сервисный центр).

В свою очередь, более высокие значения для таймингов могут, несколько замедлив работу ПК (но не настолько, чтобы скорость функционирования была доведена до режима, предшествовавшего "разгону"), придать системе стабильности.

Некоторыми IT-экспертами подсчитано, что модули ОЗУ, обладающие CL в значении 3, обеспечивают примерно на 40 % меньшую задержку в обмене соответствующими сигналами, чем те, где CL равен 5. Разумеется, при условии, что тактовая частота и на том, и на другом одинаковая.

Дополнительные тайминги

Как мы уже сказали, в некоторых современных моделях материнских плат есть возможности для очень тонкой настройки работы ОЗУ. Речь, конечно, не идет о том, как увеличить оперативную память - этот параметр, безусловно, заводской, и изменению не подлежит. Однако в предлагаемых некоторыми производителями настройках ОЗУ есть очень интересные возможности, задействуя которые, можно существенно ускорить работу ПК. Мы же рассмотрим те, что относятся к таймингам, которые можно конфигурировать в дополнение к четырем основным. Важный нюанс: в зависимости от модели материнской платы и версии BIOS, названия каждого из параметров могут отличаться от тех, которые мы сейчас приведем в примерах.

1. RAS to RAS Delay

Этот тайминг отвечает за задержку между моментами, когда активизируются строки из разных областей консолидации адресов ячеек ("банков" то есть).

2. Row Cycle Time

Этот тайминг отражает временной интервал, в течение которого длится один цикл в рамках отдельной строки. То есть от момента ее активизации до начала работы с новым сигналом (с промежуточной фазой в виде закрытия).

3. Write Recovery Time

Данный тайминг отражает временной интервал между двумя событиями - завершением цикла записи данных в память и началом подачи электросигнала.

4. Write To Read Delay

Данный тайминг показывает, сколько должно пройти времени между завершением цикла записи и моментом, когда начинается чтение данных.

Во многих версиях BIOS также доступен параметр Bank Interleave. Выбрав его, можно настроить работу процессора так, чтобы он обращался к тем самым "банкам" ОЗУ одновременно, а не по очереди. По умолчанию этот режим функционирует автоматически. Однако можно попробовать выставить параметр типа 2 Way или 4 Way. Это позволит задействовать 2 или 4, соответственно, "банка" одновременно. Отключение режима Bank Interleave используется довольно редко (это, как правило, связано с диагностикой ПК).

Настройка таймингов: нюансы

Назовем некоторые особенности, касающиеся работы таймингов и их настройки. По мнению некоторых IT-специалистов, в ряду из четырех цифр наибольшее значение имеет первая, то есть тайминг CAS Latency. Поэтому, если у пользователя немного опыта в "разгоне" модулей ОЗУ, эксперименты, возможно, следует ограничить выставлением значений только для первого тайминга. Хотя эта точка зрения не является общепринятой. Многие IT-эксперты склонны считать, что три других тайминга не менее значимы с точки зрения скорости взаимодействия между ОЗУ и процессором.

В некоторых моделях материнских плат в BIOS можно настроить производительность микросхем оперативной памяти в нескольких базовых режимах. По сути, это выставление значений таймингов по шаблонам, допустимым с точки зрения стабильной работы ПК. Эти опции обычно соседствуют с параметром Auto by SPD, а режимы, о которых идет речь, - Turbo и Ultra. Первый подразумевает умеренное ускорение, второй - максимальное. Эта возможность может быть альтернативой выставлению таймингов вручную. Похожие режимы, к слову, есть во многих интерфейсах усовершенствованной системы BIOS - UEFI. Во многих случаях, как отмечают эксперты, при включении опций Turbo и Ultra достигается в достаточной мере высокая производительность ПК, а его работа при этом стабильна.

Такты и наносекунды

Реально ли выразить тактовые циклы в секундах? Да. И для этого существует очень простая формула. Такты в секундном выражении считаются делением единицы на фактическую тактовую частоту ОЗУ, указываемую производителем (правда, этот показатель, как правило, нужно делить на 2).

То есть, например, если мы хотим узнать такты, формирующие тайминги оперативной памяти DDR3 или 2, то мы смотрим на ее маркировку. Если там указана цифра 800, то фактическая частота ОЗУ будет равна 400 МГЦ. Это значит, что длительность такта составит значение, получаемое в результате деления единицы на 400. То есть 2,5 наносекунды.

Тайминги для модулей DDR3

Одни из самых современных модулей ОЗУ - микросхемы типа DDR3. Некоторые специалисты считают, что в отношении них такие показатели, как тайминги, имеют гораздо меньшее значение, чем для чипов предыдущих поколений - DDR 2 и более ранних. Дело в том, что эти модули, как правило, взаимодействуют с достаточно мощными процессорами (такими как, например, Intel Core i7), ресурсы которых позволяют не столь часто обращаться к ОЗУ. Во многих современных чипах от Intel, так же, как и в аналогичных решениях от AMD, есть достаточная величина собственного аналога ОЗУ в виде L2- и L3-кэша. Можно сказать, что у таких процессоров есть свой объем оперативной памяти, способный выполнять значительный объем типовых для ОЗУ функций.

Таким образом, работа с таймингами при использовании модулей DDR3, как мы выяснили, - не самый главный аспект "разгона" (если мы решим ускорить производительность ПК). Гораздо большее значение для таких микросхем имеют как раз-таки параметры частоты. Вместе с тем, модули ОЗУ вида DDR2 и даже более ранних технологических линеек сегодня все еще ставятся на компьютеры (хотя, конечно, повсеместное использование DDR3, по оценке многих экспертов, - более чем устойчивый тренд). И потому работа с таймингами может пригодиться очень большому количеству пользователей.

Здравствуйте, дорогие друзья. С вами Артём.

Что такое тайминги оперативной памяти? Вот об этом и сегодня и поговорим.

Видео версия статьи:

Тайминги, как и другая полезная информация маркируется на корпусе планки оперативной памяти.

Тайминги состоят из группы цифр.

На некоторых планках тайминги указаны полностью, а на других указывается только CL задержка.

Указание только CL, а данном случае CL9

Что такое CL тайминг вы узнаете по ходу статьи.

В этом случае полный список таймингов можно узнать на сайте производителя планки, по номеру модели.

Любая оперативная память DDR (1,2,3,4) имеет одинаковые принципы работы.

Память имеет определённую частоту работы в МГц и тайминги.

Чем тайминги меньше, тем быстрее процессор может получить доступ к ячейкам памяти на микросхемах.

Соответственно получаются меньше задержек при считывании и записи информации в оперативную память.

Наибольшее распространение получил тип памяти DDR SDRAM , который имеет ряд особенностей.

Частоты:

С контроллером памяти она (память) общается на частоте в половину меньшей, чем та, которая указана на маркировке плашки оперативной памяти.

Например, DDR3 работающая на частоте 1866 МГц в диагностических программах, например, CPU-Z будет отображена как 933 МГц.

Так что на корпусе планки оперативной памяти указывается эффективная частота работы памяти, тогда как в реальности, частоты работы в два раза ниже.

Линии адреса, данных и управления передаются по одной шине в обе стороны, что и позволяет говорить об эффективной частоте работы оперативной памяти.

Данные передаются по 2 бита на один синхроимпульс, как по фронту, так и по спаду тактового импульса, что и удваивает эффективную частоту работу памяти.

P . S . Частота оперативной памяти складывается из коэффициента умножения (множителя) на частоту системной шины.

Например, частота системной шины процессора 200 МГц (какой ни будь Pentium 4), а множитель=2, то результирующая частота памяти будет 400 МГц (800 МГц эффективная).

Это значит, что для разгона оперативной памяти, нужно разогнать процессор по шине (либо выбрать нужный множитель памяти).

P .S. Все манипуляции по частотам, таймингам и напряжениям производятся в BIOS (UEFI) материнской платы.

Тайминги:

Модули памяти, работающие на одной и той же частоте, но имеющие разные тайминги в тоге могут иметь разную итоговую скорость работы.

Тайминги указывают на количество тактовых импульсов, для выполнения микросхемой памяти той или иной операции. Например, поиска определённой ячейки и записи в неё информации.

Сама же тактовая частота определяет с какой скоростью в Мегабайтах в секунду будут идти операции чтения/записи, когда чип уже готов выполнить команду.

Тайминги обозначаются цифрами, например, 10-11-10-30 .

DDR3 1866 МГц 9-9-9-10-28 будет быстрее чем DDR3 1866 МГц 10-11-10-30 .

Если обратиться к базовой структуре ячейки памяти, то получится вот такая табличная структура.

То есть структура строк и столбцов, по номеру которых можно обратиться к тому или иному байту памяти, для чтения или записи данных.

Что же конкретно обозначают цифры таймингов?

Обратимся к примеру, выше DDR 3 1866 МГц 10-11-10-30.

Цифры по порядку:

10 – это CAS Latency (CL )

Одна из важнейших задержек (таймингов). От него в большей степени будет зависеть скорость работы оперативной памяти.

Чем меньше первая цифра из таймингов, тем она быстрее.

CL указывает на количество тактовых циклов, необходимых для выдачи запрашиваемых данных.

На рисунке ниже вы видите пример с CL =3 и CL =5 .

В результате память с CL =3 на 40% быстрее выдаёт запрашиваемые данные. Можно даже посчитать задержку в нс (наносекунда = 0,000000001 с).

Чтобы вычислить период тактового импульса для оперативной памяти DDR3 1866 МГц, нужно взять её реальную частоту (933 МГц) и воспользоваться формулой:

T = 1 / f

1/933 = 0,0010718113612004 секунды ≈ 1,07 нс.

1,07*10(CL) = 10,7 нс. Таким образом для CL10 оперативная память задержит выдачу данных на 10,7 наносекунды.

P . S . Если последующие данные располагаются по адресу следующему за текущем адресом, то данные не задерживаются на время CL, в выдаются сразу же за первыми.

11 – это RAS to CAS Delay (tRCD)

Сам процесс доступа к памяти сводится к активации строки, а затем столбца с нужными данными. Данный процесс имеет два опорных сигнала – RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe) .

Также величина этой задержки (tRCD ) является числом тактов между включением команды «Активировать (Active )» и командой «Чтение» или «Запись».

Чем меньше задержка между первым и вторым, тем быстрее происходит конечный процесс.

10 – это RAS Precharge (tRP )

После того как данные получены из памяти, нужно послать специальную команду Precharge , чтобы закрыть строку памяти из которой считывались данные и разрешить активацию другой строки с данными. tRP время между запуском команды Precharge и моментом, когда память может принять следующую команду « Active » . Напомню, что команда « Active » запускает цикл чтения или записи данных.

Чем меньше эта задержка, тем быстрее запускается цикл чтения или записи данных, через команду « Active » .

P . S . Время которое проходит с момента запуска команды « Precharge » , до получения данных процессором складывается из суммы tRP + tRCD + CL

30 – это Cycle Time (tRAS) Active to Precharge Delay.

Если в память уже поступила команда « Active » (и в конечном итоге процесс чтения или записи из конкретной строки и конкретной ячейки), то следующая команда « Precharge » (которая закрывает текущую строку памяти, для перехода к другой) будет послана, только через это количество тактов.

То есть это время, после которого память может приступить к записи или чтению данных из другой строки (когда предыдущая операция уже была завершена).

Есть ещё один параметр, который по умолчанию никогда не изменяется. Разве что при очень большом разгоне памяти, для большей стабильности её работы.

Command Rate (CR , либо CMD ) , по умолчанию имеет значение 1 T – один такт, второе значение 2 T – два такта.

Это отрезок времени между активацией конкретного чипа памяти на планке оперативной памяти. Для большей стабильности при высоком разгоне, часто выставляется 2 T , что несколько снижает общую производительность. Особенно если плашек памяти много, как и чипов на них.

В этой статье я постарался объяснить всё более-менее доступно. Если, что, то всегда можно перечитать заново:)

Если вам понравился видео ролик и статья, то поделитесь ими с друзьями в социальных сетях.

Чем больше у меня читателей и зрителей, тем больше мотивации создавать новый и интересный контент:)

Также не забывайте вступать в группу Вконтакте и подписываться на YouTube канал.

Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.

Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS Setup был закрыт от лишних глаз. Сейчас их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться при таком разнообразии, не говоря уже о простом "юзере". Мы постараемся максимально разъяснить действия, необходимые для повышения производительности системы посредством простейших настроек основных таймингов и, при необходимости, некоторых других параметров. В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять. Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.

Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно - изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.

На данный момент времени самым актуальным типом памяти является DDR2-800, но он появился недавно и пока только набирает обороты. Следующий тип (вернее, предыдущий), DDR2-667, является одним из самых распространенных, а DDR2-533 уже начинает сходить со сцены, хотя и присутствует на рынке в должном количестве. Память DDR2-400 нет смысла рассматривать, так как она практически уже исчезла из обихода. Модули памяти каждого типа имеют определенный набор таймингов, а для большей совместимости с имеющимся разнообразием оборудования они немного завышены. Так, в SPD модулей DDR2-533 производители обычно указывают временные задержки 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS), в DDR2-667 - 5-5-5-15 и в DDR2-800 - 5-5-5-18, при стандартном напряжении питания 1,8-1,85 В. Но ничто не мешает их снизить для увеличения производительности системы, а при условии поднятия напряжения всего до 2-2,1 В (что для памяти будет в пределах нормы, но охлаждение все же не помешает) вполне возможно установить еще более агрессивные задержки.

В качестве тестовой платформы для наших экспериментов мы выбрали следующую конфигурацию:

Материнская плата: ASUS P5B-E (Intel P965, BIOS 1202)
Процессор: Intel Core 2 Extreme X6800 (2,93 ГГц, 4 Мб кэш, FSB1066, LGA775)
Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon
Видеокарта: ASUS EN7800GT Dual (2хGeForce 7800GT, но использовалось только "половина" видеокарты)
HDD: Samsung HD120IJ (120 Гб, 7200 об/мин, SATAII)
Привод: Samsung TS-H552 (DVD+/-RW)
Блок питания: Zalman ZM600-HP

В качестве оперативной памяти использовалось два модуля DDR2-800 объемом 1 Гб производства Hynix (1GB 2Rx8 PC2-6400U-555-12), благодаря чему появилась возможность расширить количество тестов с различными режимами работы памяти и комбинациями таймингов.

Приведем перечень необходимого ПО, позволяющего проверить стабильность системы и зафиксировать результаты настроек памяти. Для проверки стабильной работы памяти можно использовать такие тестовые программы как Testmem, Testmem+, S&M, Prime95 , в качестве утилиты настройки таймингов "на лету" в среде Windows применяется MemSet (для платформ Intel и AMD) и A64Info (только для AMD) . Выяснение оправданности экспериментов над памятью можно осуществить архиватором WinRAR 3.70b (имеется встроенный бенчмарк), программой SuperPI , рассчитывающая значение числа Пи, тестовым пакетом Everest (также есть встроенный бенчмарк), SiSoft Sandra и т.д.

Основные же настройки осуществляются в BIOS Setup. Для этого необходимо во время старта системы нажать клавишу Del, F2 или другую, в зависимости от производителя платы. Далее ищем пункт меню, отвечающий за настройки памяти: тайминги и режим работы. В нашем случае искомые настройки находились в Advanced/Chipset Setting/North Bridge Configuration (тайминги) и Advanced/Configure System Frequency (режим работы или, проще говоря, частота памяти). В BIOS"е других плат настройки памяти могут находиться в "Advanced Chipset Features" (Biostar), "Advanced/Memory Configuration" (Intel), "Soft Menu + Advanced Chipset Features" (abit), "Advanced Chipset Features/DRAM Configuration" (EPoX), "OverClocking Features/DRAM Configuration" (Sapphire), "MB Intelligent Tweaker" (Gigabyte, для активации настроек необходимо в главном окне BIOS нажать Ctrl+F1 ) и т.д. Напряжение питания обычно изменяется в пункте меню, отвечающем за оверклокинг и обозначается как "Memory Voltage", "DDR2 OverVoltage Control", "DIMM Voltage", "DRAM Voltage", "VDIMM" и т.д. Также у различных плат от одного и того же производителя настройки могут отличаться как по названию и размещению, так и по количеству, так что в каждом отдельном случае придется обратиться к инструкции.

Если нет желания поднимать рабочую частоту модулей (при условии возможностей и поддержки со стороны платы) выше ее номинальной, то можно ограничиться уменьшением задержек. Если да, то вам скорее придется прибегнуть к повышению напряжения питания, равно как и при снижении таймингов, в зависимости от самой памяти. Для изменения настроек достаточно необходимые пункты перевести из режима "Auto" в "Manual". Нас интересуют основные тайминги, которые обычно находятся вместе и называются следующим образом: CAS# Latency Time (CAS, CL, Tcl, tCL), RAS# to CAS# Delay (RCD, Trcd, tRCD), RAS# Precharge (Row Precharge Time, RP, Trp, tRP) и RAS# Activate to Precharge (RAS, Min.RAS# Active Time, Cycle Time, Tras, tRAS). Также есть еще один параметр - Command Rate (Memory Timing, 1T/2T Memory Timing, CMD-ADDR Timing Mode) принимающий значение 1T или 2T (в чипсете AMD RD600 появилось еще одно значение - 3Т) и присутствующий на платформе AMD или в чипсетах NVidia (в логике от Intel он заблокирован в значении 2T). При снижении этого параметра до единицы увеличивается быстродействие подсистемы памяти, но снижается максимально возможная ее частота. При попытке изменить основные тайминги на некоторых материнских платах могут ожидать "подводные камни" - отключив автоматическую настройку, мы тем самым сбрасываем значения подтаймингов (дополнительные тайминги, влияющие как на частоту, так и на быстродействие памяти, но не так значительно, как основные), как, например, на нашей тестовой плате. В этом случае придется воспользоваться программой MemSet (желательно последней версии) и просмотреть для каждого режима работы памяти значения подтаймингов (субтаймингов), чтобы установить аналогичные в BIOS"e.

Если названия задержек не совпадут, то тут хорошо проявляет себя "метод научного тыка". Незначительно изменяя дополнительные настройки в BIOS Setup, проверяем программой, что, где и как изменилось.

Теперь для памяти, функционирующей на частоте 533 МГц, можно попытаться вместо стандартных задержек 4-4-4-12 (или какого-либо другого варианта) установить 3-3-3-9 или даже 3-3-3-8. Если с такими настройками система не стартует, поднимаем напряжение на модулях памяти до 1,9-2,1 В. Выше не рекомендуется, даже при 2,1 В желательно использовать дополнительное охлаждение памяти (простейший вариант - направить на них поток воздуха от обычного кулера). Но сперва необходимо провести тесты при стандартных настройках, например в очень чувствительном к таймингам архиваторе WinRAR (Tools/Benchmark and hardware test). После изменения параметров проверяем снова и, если результат удовлетворяет, оставляем как есть. Если нет, как это произошло в нашем тестировании, то при помощи утилиты MemSet в среде Windows (эта операция может привести либо к зависанию системы, либо, что еще хуже, полной неработоспособности ее) или же средствами BIOS Setup поднимаем на единицу RAS# to CAS# Delay и снова тестируем. После можно попытаться уменьшить на единицу параметр RAS# Precharge, что немного увеличит быстродействие.

Тоже самое проделываем для памяти DDR2-667: вместо значений 5-5-5-15 выставляем 3-3-3-9. При проведении тестов нам пришлось также увеличить RAS# to CAS# Delay, иначе быстродействие ничем не отличалось от стандартных настроек.

Для системы, использующей DDR2-800, задержки можно уменьшить до 4-4-4-12 или даже 4-4-3-10, в зависимости от конкретных модулей. В любом случае подбор таймингов сугубо индивидуален, и дать конкретные рекомендации достаточно сложно, но приведенные примеры вполне могут помочь вам в тонкой настройке системы. И не забываем о напряжении питания.

В итоге мы провели тестирование с восемью различными вариантами и комбинациями режимов работы памяти и ее задержками, а также включили в тесты результаты оверклокерской памяти, - Team Xtreem TXDD1024M1066HC4, работавшей на эффективной частоте 800 МГц при таймингах 3-3-3-8. Итак, для режима 533 МГц вышло три комбинации с таймингами 4-4-4-12, 3-4-3-8 и 3-4-2-8, для 667 МГц всего две - 5-5-5-15 и 3-4-3-9, а для режима 800 МГц, как и в первом случае, три - 5-5-5-18, 4-4-4-12 и 4-4-3-10. В качестве тестовых пакетов использовались: подтест памяти из синтетического пакета PCMark05, архиватор WinRAR 3.70b, программа расчета числа Пи - SuperPI и игра Doom 3 (разрешение 1024x768, качество графики High). Латентность памяти проверялась встроенным бенчмарком программы Everest. Все тесты проходили в среде Windows XP Professional Edition SP2. Представленные результаты на диаграммах расположены по режимам работы.

Как видите по результатам, разница в некоторых тестах незначительная, а порой даже мизерная. Это обусловлено тем, что системная шина процессора Core 2 Duo, равная 1066 МГц, имеет теоретическую пропускную способность 8,5 Гб/с, что соответствует пропускной способности двухканальной памяти DDR2-533. При использовании более скоростной памяти ограничивающим фактором быстродействия системы становится шина FSB. Уменьшение задержек ведет к росту быстродействия, но не так заметно, как повышение частоты памяти. При использовании в качестве тестового стенда платформы AMD можно было бы наблюдать совсем другую картину, что мы по возможности и сделаем в следующий раз, а пока вернемся к нашим тестам.

В синтетике рост производительности при уменьшении задержек для каждого из режимов составил 0,5% для 533 МГц, 2,3% для 667 МГц и 1% для 800 МГц. Заметен значительный рост производительности при переходе от памяти DDR2-533 к DDR2-667, а вот смена с 667 на DDR2-800 дает уже не такую прибавку скорости. Также память уровнем ниже и с низкими таймингами вплотную приближается к более высокочастотному варианту, но с номинальными настройками. И это справедливо практически для каждого теста. Для архиватора WinRAR, который достаточно чувствителен к изменению таймингов, показатель производительности немного вырос: 3,3% для DDR2-533 и 8,4% для DDR2-667/800. Расчет восьмимиллионного знака числа Пи отнесся к различным комбинациям в процентном соотношении лучше, чем PCMark05, хоть и незначительно. Игровое приложение не сильно жалует DDR2-677 с таймингами 5-5-5-15, и только снижение последних позволило обойти менее скоростную память (которой, как оказалось, все равно, какие тайминги стоят) на два кадра. Настройка памяти DDR2-800 дала прибавку еще в два кадра, а оверклокерский вариант, который имел неплохой разрыв в остальных тестах, не слишком вырвался вперед относительно менее дорогого аналога. Все же, кроме процессора и памяти, есть еще одно звено - видеоподсистема, которая вносит свои коррективы в производительность всей системы в целом. Результат латентности памяти удивил, хотя, если присмотреться к графику, становится ясно, отчего показатели именно такие, какие есть. Падая с ростом частоты и уменьшением таймингов от режима DDR2-533 4-4-4-12, латентность имеет "провал" на DDR2-667 3-4-3-9, а последний режим практически ничем кроме частоты от предыдущего не отличается. И благодаря столь низким задержкам DDR2-667 запросто обходит DDR2-800, которая имеет более высокие значения, но пропускная способность DDR2-800 позволяет в реальных приложениях все же вырваться вперед.

И в заключение хотелось бы сказать, что несмотря на небольшой процент прироста быстродействия (~0,5-8,5), который получается от уменьшения временных задержек, эффект все же присутствует. И даже при переходе с DDR2-533 на DDR2-800 мы получаем прибавку в среднем 3-4%, а в WinRAR более 20. Так что подобный "тюнинг" имеет свои плюсы и позволяет даже без серьезного разгона немного поднять производительность системы.

Статья постоянно обновляется. Последнее обновление 04.01.2013 р.
Оперативная память (ОЗУ) - это специальная память (оперативное запоминающие устройство), в которой временно хранятся данные и команды, необходимые процессору для выполнения им операций, и время доступа к этой памяти (для процессора) не превышает одного его такта.
Передача данных в/из оперативную память производится непосредственно через сверхбыструю КЭШ память процессора (L2 или L3).

Тайминги (задержки) оперативной памяти - это временная задержка сигнала обмена данными, т.е. это короткое время задержки "отзывчивости" памяти на ввод/вывод данных. От таймингов напрямую зависит быстродействие памяти и, как следствие, очень зависит производительность всей системы.
Тайминги указываются на модулях памяти в виде: 4-4-4-12, 6-6-6-18, 9-9-9-27 или в составе маркировки модуля памяти CL4, CL5, CL9.

Первым делом при выборе оперативной памяти вы должны отталкиваться от вашей материнской платы и процессора, которые вы выбрали.
Так как память непосредственно устанавливается в материнскую плату и тип памяти будет зависеть от мат. платы.
Об этом мы писали:

А процессор будет напрямую работать с установленной ОЗУ, и в новых процессорах имеется встроенный контроллер для обмена данными с оперативной памятью.
Об этом здесь:

Тип памяти.

В настольных компьютерных системах используются такие типы памяти:

DDR (double data rate - двойная скорость передачи данных) - в настоящее время этот тип памяти устарел и почти не используется. Модуль имеет 184 контакта. Стандартное питающее напряжение 2,5 В.
Маркируется PC-2700 333 Mhz, PC-3200 400 Mhz.

Так как данный тип памяти уже давно снят с производства мы не будем заострять на нём своё внимание.

DDR2 - это широко распространенный на данный момент тип памяти. DDR2 в отличие от DDR позволяет делать выборку сразу 4 бита данных за такт (4n-prefetch), DDR только 2 бита за такт (2n-prefetch), т.е. DDR2 способна передавать за один такт шины памяти 4 бита информации из ячеек микросхемы памяти в буферы ввода-вывода. Модуль выполнен в виде печатной платы с 240 контактами (по 120 с каждой стороны) и имеет стандартное питающее напряжение 1,8 В.
Маркируется PC-5300 667 Mhz, PC-6400 800 Mhz, PC-8500 1066 Mhz.

Это тип памяти сейчас широко используется в настольных офисных и геймерских компьютерах. За счёт высокой частоты, малых таймингов (задержек) и удвоенной скорости выборки память показывает высокие результаты производительности.

DDR3 - Новый и не менее распространённый тип памяти. DDR3 - позволяет делать выборку 8 бит данных за такт (8n-prefetch). Модуль также как и DDR2 выполнен в виде 240-контактной платы (только ключ/прорезь смещён и установить DDR3 в слот для DDR2 нельзя), а стандартное питающее напряжение всего 1,5 В.
Маркируется PC-10600 1333 Mhz, PC-12800 1600 Mhz, PC-14400 1800 Mhz, PC-15000 1866 Mhz, PC-16000 2000Mhz.

На данный момент, этот тип памяти вытесняет DDR2 из новых систем и в будущем её полностью заменит. DDR3 нашла применение те только в геймерских и оверклокерских системах, но и полностью внедряется в мультимедийные системы и ноутбуки. Так как имеет большие, в сравнении с DDR2, рабочие частоты и гораздо большую пропускную способность.
Энергопотребление памяти DDR3 приблизительно на 40% меньше, чем у памяти DDR2, что очень важно для ноутбуков и мобильных систем.

Для новых систем приобретать память DDR2 уже не рентабельно. Разве, что для офисных компьютеров, основанных на более раннем со встроенным графическим ядром.

А приобретая новые комплектующие для домашних и геймерско-оверклокерских систем, на данный момент, нужно ориентироваться именно на DDR3. Так как, все новые мат. платы и новые процессора поддерживают только DDR3.
Единое что нужно учесть - что DDR3 имеет немного больше тайминги в сравнении с DDR2, но за счёт более высокой частоты и низкого энергопотребления является лучшим выбором для настольных и мобильных систем.

Частота памяти .

Здесь арифметика простая: чем выше частота, тем производительней память.
Главное чтобы ваша материнская плата поддерживала, выбранную вами, частоту памяти.

Но не стоит забывать, что с ростом частоты, растут и тайминги (задержки).

Золотой серединой в DDR3 является частота 1600 Mhz с таймингами CL7 или CL8.
Для DDR2 оптимальная частота 1066 Mhz с таймингами CL5.

Тайминги.

Тайминги (задержки) - это другими словами латентность памяти. То есть по таймингам определяется скорость "отзывчивости" памяти.
Выходит так, что чем ниже тайминги, тем "шустрее" память.

DDR имела стандартные тайминги CL3 (3-3-3-9) при частоте 400 Mhz
DDR2 стандартные тайминги CL6 (6-6-6-18) при частоте 800 Mhz
DDR3 имеет тайминги по стандарту CL9 (9-9-9-27) при частоте 1600 Mhz

Но бывают модули с уменьшенными таймингами/повышенной производительностью. Такие модули немного дороже стандартных, но они способны существенно ускорить работу системы.
Их иногда называют - оверклокерская память.
Можно приобрести память, тайминги у которой, например, при той же частоте для DDR2 800 Mhz всего лишь CL4 (4-4-4-12), а для DDR3 1600 Mhz - CL7 (7-7-7-21).
Единое, что для обеспечения такого режима работы, некоторые производители указывают напряжение питания своих чипов выше номинала.

Двух- Трёх-канальный режим (Dual- Triple-Channel) работы памяти и KIT-память.

Двухканальный режим начали использовать сравнительно недавно. А трёхканальный и вовсе только на игровом чипсете Х58 платформы LGA 1366 для Core i7.

Двухканальный режим - это режим работы оперативной памяти, при котором модули памяти работают попарно,то есть 1-й с 3-м, а 2-й с 4-м (в трехканальном - "тройками" 1-3-5, 2-4-6), причем каждая пара на своем канале - в то время как в одноканальном режиме все модули памяти обслуживаются одновременно одним контроллером (так сказать, работают в один канал).
Общий объём доступной памяти в трёх- двух-канальном режиме (как и в одноканальном) равен сумме всех объёмов, установленных модулей памяти.

Двух-канальный режим роботы памяти, даёт очень неплохой прирост производительности. В теории, такой режим удваивает пропускную способность памяти. А на практике прирост двухканального режима против одноканального составляет от 10% до 70% (в зависимости от приложения).
Ну а у трёхканального прирост, пока несущественен, в сравнении с двухканальным, всего лишь пару процентов.

В трёх- двух-канальном режиме будет работать память одного объёма, одной частоты, одного производителя, одного типа. А так же нужно, чтоб материнская плата и процессор поддерживали такой режим работы. Прочитать об этом можно в статьях:

Но иногда бывают исключения .
Два (три) полностью идентичных модуля памяти (частота, тайминги, объём, производитель, тип и даже из одной партии) могут "отказаться" работать в Dual Channel (Triple Channel) и приводить систему к срыву в "синий экран".
Это как лотерея кому повезёт запустить в работу два, три обычных модуля, а кому и нет.
И по гарантии претензий не предъявишь, так как по отдельности и в одноканальном режиме они работают отлично.

Для простоты запуска памяти в режим DualChannel, производители мат.плат "красят" слоты памяти одного канала одним цветом, второго канала другим. Соответственно чтобы заставить работать память в двухканальном режиме, нужно установить модули в слоты одного цвета (точнее читаем инструкцию мат. платы).
(исключение - когда на плате всего два слота, тогда проверить количество каналов можно программой CPU-Z)

Одноканальный режим работы памяти, это когда память вставлена в соседние слоты (разного цвета):

Двухканальный режим, память установлена парами 1-3, 2-4 (в слоты одного цвета):

ВАЖНО!!! Если у вас, на материнской плате, поддерживается двухканальный режим роботы памяти, и память вставлена в 1-й и 3-й слот (например 2 шт. по 1Gb) и вы решили доставить третью планку в 2-й или 4-й слот (допустим такую же планку объёмом 1Gb). То вы "потеряете" двухканальный режим работы памяти, и контроллер перейдёт в одноканальный.
Прирост от добавленной памяти высоким не будет, а от потери двухканального режима, производительность несколько упадёт.
Чтоб сберечь двухканальный режим, добавляйте память парами!!!

Трёхканальный режим, память установлена "тройками" 1-3-5, 2-4-6 (также в слоты одного цвета):

Для работы в многоканальных режимах существуют специальные наборы модулей памяти.
Так называемая Kit-память (Kit-набор) - в этот набор входит два (три) модуля, одного производителя, с одинаковой частотой, таймингами и типом памяти.
Но самое главное, что такие модули тщательно подобраны и протестированы, самим производителем, для работы парами (тройками) в двух-(трёх-) канальных режимах и не предполагают никаких сюрпризов в работе и настройке.

Внешний вид KIT-наборов:
для двухканального режима

для трёхканального

Кроме того такие модули памяти оснащены пассивными радиаторами охлаждения, наличие которых позволяет чипам самостоятельно охлаждаться.
Это является неоспоримым плюсом и положительно сказывается на стабильности работы памяти.

Исходя из тестов прироста производительности, оптимальным выбором, для всех систем (в том числе и офисных), является двухканальный режим работы памяти (Dual Channel).

Тесты производительности двухканального режима: .

То есть - например, лучше взять 2 планки объёмом по 2 Gb каждая, и поставить в двухканальный режим, чем одной планкой 4 Gb.
Или 2 штуки по 1 Gb, чем одна объёмом в 2 Gb.
Объём памяти тот же, а прирост производительности на 10-70% больше, в зависимости от приложения.

Единственное, что для обеспечения двухканального режима в офисном компьютере, достаточно простых идентичных модулей (желательно с одной партии), то для домашних игровых, мультимедийных, геймерско-оверклокерских систем мы настоятельно рекомендуем приобретать KIT-память (KIT-набор).

Необходимый объём памяти.

На сегодняшний день минимально необходимое количество оперативной памяти - это 2 Gb. .
Этого достаточно для любой офисной системы.

Но оптимальным выбором является объём размером в 4 Gb (2x2Gb). Этого хватит для любой геймерской машины.
Не желательна установка 4 шт. по 1 Gb, это приведёт к большему энергопотреблению и меньшей стабильности при сопряжении в многоканальном режиме.

Примечание: для того, чтобы операционная система Windows задействовала все 4 Gb оперативной памяти, нужно установить 64-рязрядную ОС Windows. Так как 32-bit система будет использовать 3,12 Gb из 4 Gb установленных.

Большее количество оперативной памяти понадобится, в основном, энтузиастам или профессионалам для обработки графики и проектировки моделей в высоких разрешениях.

Установка от 8 Gb (2x4 Gb) и выше оправдана в системах с SSD, и , который использует жёсткий диск для кратковременного хранения файлов, обрабатываемых оперативной памятью.
Отключение файла подкачки актуально только в тех системах, где используется SSD диск. Чтоб продлить его срок службы.

И в завершении статьи хотелось бы сказать, что оперативной памяти много не бывает, но и лишняя она ни к чему.
Нужно брать ровно столько, сколько необходимо, а на "лишние" деньги выбрать Kit-память с меньшими таймингами и с большей частотой.

Как оказалось, наибольший интерес почти у всех читателей вызывают вопросы влияния
таймингов DDR2 на производительность, а также то, насколько ее латентность окажется
выше по сравнению с предыдущим стандартом DDR400. Как мы уже говорили в прошлых
статьях, касающихся нюансов функционирования подсистем памяти с чипсетами предыдущих
поколений, вклад основных таймингов (к примеру, CAS Latency или RAS-to-CAS) в
общий результат — величина непостоянная, очень сильно зависящая от используемой
платформы и конфигурации. Так, наибольший рост быстродействия за счет уменьшения
задержек зафиксирован на AMD Athlon 64 (Socket 939) — при снижении значений с
8-4-4-3 (для DDR400) до 5-2-2-2 он составил в реальных задачах около 20%. В системах
на чипсетах ATI 9100IGP для платформы Socket 478, отличающихся от конкурентов
самой высокой латентностью, подобное понижение таймингов добавило лишь около 3%
производительности.

Следовательно, пока можно сделать предварительный вывод — чем меньше общая
латентность контроллера памяти, тем большее влияние на быстродействие оказывают
настройки подсистемы памяти . Не вдаваясь в теоретические размышления (см.
статью "Подсистема памяти — чем дальше, тем страшнее…"),
сразу перейдем к рассмотрению ситуации с DDR2.

Таблица 1. Сравнение приведенных задержек доступа к памяти (нс)
Режимы работы памяти (тайминги 8-4-4-3)			DDR400	DDR-533	DDR2-400	DDR2-533	DDR2-667	DDR2-800
DRAM Command Rate (CMD rate) — время нахождения микросхемы с необходимыми данными			5	3,8	10,0	7,7	6,0	5
Row Cycle time (T RC) — время активности банка	RAS# Active time (T RAS) — время активности страницы	RAS-to-CAS (T RCD) — время между определением адреса строки и столбца	20	15,4	40,0	30,8	24,0	20
	RAS# Active time (T RAS) — время активности страницы	CAS# Latency (T CL) — время между определением адресного массива и началом считывания	15	11,5	30,0	23,1	18,0	15
	RAS# Precharge time (T RP) — время для перезарядки страницы		20	15,4	40,0	30,8	24,0	20
Общее время задержек			60	46,2	120,0	92,3	72,0	60

Для большей наглядности выясним (табл. 1), как отличаются по времени выполнения полные циклы операций с памятью стандартов DDR400 и DDR2-533. Сделаем еще одно важное замечание, о котором часто забывают пользователи, — в подавляющем большинстве BIOS Setup материнских плат тайминги приведены в тактах реальной (!) физической шины , т. е. для DDR400 это такты 200 MHz шины, а для DDR2-533 — 133 MHz. Как видно из таблицы, общее (теоретическое) время задержек при доступе к памяти действительно значительно меньше у DDR400 даже с учетом одинаковых таймингов. Также наглядно можно убедиться, что латентность обоих стандартов уравняется только после появления DDR2-800.

Здесь необходимо сделать несколько пояснений. Во-первых, указанная латентность DDR533, DDR2-533/667/800 справедлива только при равнозначной пропускной способности процессорной шины. Во-вторых, не следует забывать, что, когда выйдет стандарт DDR2-800, при одинаковой латентности с DDR400 объем передаваемых данных будет уже в два раза выше — 6,4 GBps (при одноканальном 64-битном доступе) против 3,2 GBps у DDR400. Также данная таблица наверняка поможет понять принципы "вложенности" таймингов — к примеру, самый большой из доступных таймингов DRAM Cycle time (T RAS) , в идеале, должен равняться сумме RAS-to-CAS и CAS Latency . В случае T RAS > T RCD +T CL освобождаются дополнительные такты для синхронизации сигналов, что приводит к росту стабильности при незначительном снижении производительности. Противоположный вариант — T RAS < T RCD +T CL — либо невозможен в принципе (контроллеры предыдущих чипсетов вообще не позволяли устанавливать это значение меньше 5, что заведомо больше минимальных 2+2), либо просто заданные цифры будут корректироваться в большую сторону — по той простой причине, что время активности сигнала RAS# не может быть меньше, чем потребуется на определение адреса строки и столбца (т. е. массива считываемых данных).

Забегая вперед, заметим, что нам удалось установить тайминги 3-3-2-3 для DDR2-533, при этом все программы-идентификаторы подтвердили данные значения, но никакой разницы по сравнению с 6-3-2-3 даже в низкоуровневых тестах обнаружить не удалось, что полностью подтверждает вышесказанное.

На многих материнских платах под Socket 754/939 (AMD Athlon 64) есть возможность задавать еще несколько параметров, в числе которых Row Cycle time (T RC) и Write Enable (T WE) . Первый отображает минимальное время активности всего банка памяти и равняется соответственно T RAS +T RP . Если установить значение больше данной суммы, при необходимости освобождаются дополнительные такты для регенерации, в обратной ситуации система либо станет работать нестабильно (равносильно заниженному T RP), либо, как и в случае T RAS , будет просто игнорироваться. Тайминг T WE задает минимальное время, за которое должен быть выдан сигнал о том, что ячейки готовы к операции записи; как можно догадаться, его уменьшение приводит к увеличению скорости в режиме записи. На материнских платах с чипсетами Intel данный параметр, как правило, закрыт для изменения, но именно его прошитыми значениями можно объяснить разную скорость записи у моделей от различных производителей. Что касается тайминга DRAM Command rate (CMD rate), то он определяет, сколько времени потребуется для нахождения необходимой микросхемы — иными словами, нужного банка. У чипсетов для Socket 478 CMD rate по умолчанию равняется 1Т, для десктопной платформы AMD64 составляет 2Т (иногда изменяется до 1Т). Заметим, один такт задержки возможен только при последовательном обращении, а при произвольном доступе к памяти в любом случае тратится два такта.

Итак, небольшой ликбез по таймингам будем считать законченным. Перейдем к рассмотрению реальных примеров с использованием памяти DDR2 в новых настольных платформах Intel.

Таблица 2. Параметры производительности при различных режимах работы памяти
Режим тестирования	Максимальная	Скорость чтения, MBps	Скорость записи, MBps	Латентность, нс
12-4-4-4 DDR2-533	5330	4048	2230	82
6-3-2-3 DDR2-533	5466	4280	2260	79
12-4-4-4 DDR2-400	4847	3884	1906	88
5-2-2-3 DDR2-400	4951	4086	1952	81

Таблица 3. Значения удельной производительности*
Режим тестирования	Максимальная производительность памяти, MBps	Скорость чтения, MBps	Скорость записи, MBps
12-4-4-4 DDR2-533	10,0	7,6	4,2
6-3-2-3 DDR2-533	10,3	8,0	4,2
12-4-4-4 DDR2-400	12,1	9,7	4,8
5-2-2-3 DDR2-400	12,4	10,2	4,9

* на 1
MHz эффективной частоты.

Результаты тестирования

Для простоты понимания и наглядности данные, представленные в табл. 2, продублированы на диаграммах. Как можно заметить, даже несмотря на то, что в обоих случаях (DDR2-400 и DDR2-533) частота процессорной шины составляла всего 800 MHz, абсолютная производительность подсистемы памяти существенно увеличилась при переходе от 400 к 533 MHz. Наибольший вклад приходится именно на значительное увеличение скорости записи. Однозначно следует сказать, что контроллеры новых чипсетов Intel 915/925 изначально проектировались исключительно на частоты шины памяти 533 MHz и выше, а поддержка DDR2-400 реализована лишь для совместимости.

Еще одним веским тому подтверждением служат график, демонстрирующий скорость "отклика" подсистемы памяти в зависимости от величины пакета, и диаграмма с результатами средней латентности. Это первый случай, когда асинхронный режим работы шины памяти и процессора, да еще с увеличенными таймингами, оказался более производительным по сравнению с синхронным с меньшими уровнями задержек. Наверняка данная ситуация сохранится с выходом CPU, имеющим шину 266 (1066) MHz; примерно в то же время должны появиться в широкой продаже первые модули DDR2-667. Каким-то образом инженерам Intel удалось повысить быстродействие операций записи за счет освободившихся тактов ожидания процессора. По удельной же производительности (скорость передачи данных при 1 MHz эффективной частоты), разумеется, режим DDR2-400 имеет несколько больший КПД (табл. 3), однако, как мы уже сказали, разница оказалась намного меньшей, чем ожидалось.

Известный факт: из реальных приложений, способных адекватно воспринять сокращение задержек памяти, со значительным отрывом вперед выходят игры. Справедливости ради заметим, что ПО, работающее по принципу базы данных, также весьма чувствительно к настройкам памяти, но это, как говорится, уже совсем другая история. Для анализа изменения быстродействия в развлекательных задачах мы традиционно выбрали Unreal Tournament 2003. Видно, что разница между минимальным режимом 12-4-4-4 для DDR2-400 и 6-3-2-3 для DDR2-533 равняется 15 кадров в секунду, что составило около 8% прироста производительности. Действительно, такой отрыв можно назвать существенным, учитывая использование в тестах далеко не самой быстрой видеокарты на базе NVidia PCX5900.

Модули DDR2-533

Kingston KVR533

Micron PC2-4300U

Samsung PC2-4300U

Transcend DDR2-533

Отрадно сообщить, что компании, специализирующиеся на поставках модулей памяти,
практически сразу после анонсирования новой десктопной платформы Intel начали
поставки на отечественный рынок линеек DDR2-400 ECC для серверов и рабочих станций
(о них мы расскажем в будущих материалах) и DDR2-533 для настольных систем. Нам
удалось протестировать продукцию таких известных брендов, как Micron, Samsung,
Transcend и Kingston. Во всех модулях применялись микросхемы BGA со временем доступа
3,75 нс, что в точности соответствует эффективной частоте 533 MHz. В Micron и
Samsung, как обычно, установлены микросхемы одноименных производителей, тогда
как Kingston и Transcend построены на идентичных чипах от Elpida. Интересно, что
во время масштабного тестирования модулей DDR400, проведенного нами в начале нынешнего
года, ни один из продуктов не базировался на микросхемах этой японской компании.

Не вдаваясь в определение разгонного потенциала (пока невостребованного), мы решили ограничиться проверкой минимальных задержек в режиме DDR2-533 при стандартном напряжении 1,8 В и при его увеличении до 2 В (результаты приведены в табл. 4). Продукция Micron всегда была эталоном качества и производительности, не стали исключением и новые модули. При штатном и повышенном уровне питания они стабильно работали с меньшими задержками, тем более что при 2 В мо-дули MT16HTF6464AG оказались единственными, кому покорилось значение 2Т для RAS# Precharge. Неудивительно, что память от Kingston и Transcend продемонстрировала идентичные результаты, которые были чуть выше, чем у Samsung PC2-4300U. Попытка запустить тестовую систему в режиме DDR2 667 даже с таймингами 12-4-4-4 и при увеличенном напряжении ни с одним из комплектов модулей не увенчалась успехом. Жаль, что на тестирование не успели попасть линейки памяти от Hynix — как известно, продукция именно этого производителя задает тон на мировом рынке.

Таблица 4. Сравнительные характеристики модулей памяти PC2-4300 (DDR2-533)
Модуль памяти	Samsung PC2-4300U	Micron PC2-4300U	Kingston KVR533	Transcend DDR2-533
Прошитые тайминги для режима DDR2-533	11-4-4-4	12-4-4-4	12-4-4-4	11-4-4-4
Минимальные тайминги приштатном напряжении 1,8 В	8-4-3-3	6-3-3-3	8-3-3-3	8-3-3-3
Минимальные тайминги при повышенном напряжении 2 В	7-4-3-3	6-3-2-3	6-3-3-3	6-3-3-3

Выводы

Этот материал — уже третий по счету, в котором серьезно затрагивается вопрос функционирования нового стандарта системной памяти DDR2. Но согласитесь, если уже в следующем году DDR2 станет массовым, подобные усилия оправданы. "Не цепляясь" за текущее сравнение DDR и DDR2, с уверенностью можно сказать, что сама технология DDR2 "не так страшна, как ее малюют", тем более что перспективы у нее очень радужные. На сайтах большинства производителей чипов уже имеется информация о готовых продуктах DDR2-667 (модули с индексом PC2-5300). Зачем далеко ходить, если в спартанских по тонким настройкам BIOS Setup материнских плат Intel присут-ствует возможность выбора этого режима, а чипсеты SiS под Socket LGA775 вообще официально поддерживают память с эффективной частотой 667 MHz.

Как мы сегодня выяснили, теоре-тически новые контроллеры, рассчитанные на применение DDR2, должны быть куда более инертными по сравнению со своими предшественниками, работающими с DDR400. Однако, как показали наши прошлые тестирования, на практике эта разница оказалась менее заметной, в чем есть реальная заслуга инженеров R&D-отдела компании Intel.

Помимо SiS, еще один крупнейший производитель чипсетов, компания VIA Technologies, также в ближайшее время покажет миру свои наборы логики под новые процессоры Intel и память DDR2. Очень будет интересно сравнить эти три решения, что мы обязательно сделаем, как только представится такая возможность.

На самом деле "страшные" значения таймингов для модулей PC2-4300 (к примеру, 12-4-4-4) еще вовсе не означают, что их нельзя привести к более привычным 6-3-3-3 (аналогичная ситуация наблюдается с линейками памяти DDR400, когда стандартная прошивка 8-4-4-3 совсем не мешает выставить на большинстве из них 5-3-2-2,5).

Модули, попавшие к нам на тестирование, являются типичными массовыми изделиями,
которым далеко до оверклокерских моделей, однако появление таковых не за горами.
Да и вообще, учитывая быстрые темпы выхода на украинский рынок новых систем Intel
и сопутствующего оборудования в виде видеокарт PCI Express и памяти DDR2, можно
ручаться, что не пройдет и полгода, как большинство отечественных пользователей
перестанут воспринимать платформу Socket 775 с ее нововведениями как что-то уникальное
и далекое от реальной жизни.

Конфигурация тестовой системы
Платформа	Intel
Процессор	Intel Pentium 4 (Prescott) 3,6 GHz, Socket LGA775, FSB 800 MHz
Материнская плата	Intel D925XCV, чипсет i925X
Референсная память	Micron PC2-4300U (DDR2-533), 2x512 MB
Видеокарта	Leadtek PCX5900 128 MB (FX 5900XT, PCI Express)
Режимы тестирования видео	480/830 MHz (чип/память), ForceWare 62.01
Жесткий диск	Western Digital WD1600 (160 GB, 7200 об/мин)
ОС	Windows XP Professional SP2, DirectX 9.0c